Fairchild Semiconductor CTO Dan Kinzer erhält ISPSD Contributory Award
Auszeichnung würdigt herausragende Beiträge im Bereich der technischen Weiterentwicklung
(IINews) - München - 23. Juli 2013 - Dan Kinzer, Chief Technology Officer von Fairchild Semiconductor ist diesjähriger Preisträger des "ISPSD Contributory Award". Er wird für sein Engagement und seine Mitwirkung am Aufbau des International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits (ISPSD) ISPSD in den letzten 20 Jahren ausgezeichnet. Die ISPSD hat sich in dieser Zeit zu einer weltweit führenden internationalen Konferenz im Bereich der Leistungshalbleiter entwickelt.
Der Preis wird seit 2001 jedes Jahr vom ISPSD an Mitglieder verliehen, die herausragend an der technischen Weiterentwicklung mitgewirkt haben. Zum 25. Jahrestag der ISPSD gehörte Dan Kinzer zu den insgesamt acht diesjährigen Preisträgern.
Dan Kinzer ist seit 2007 für Fairchild Semiconductor tätig und war zuerst Senior Vice President of Product and Technology Development der Power Group und wurde im Dezember 2010 zum Chief Technology Officer und Senior Vice President for Technology ernannt. Er leitet die Technologieentwicklung für Halbleiterbauteile, Prozesse und Packaging. Außerdem ist er verantwortlich für die Technologiestrategie, Beschaffung und Weiterentwicklung von Personal sowie die Geschäft- und Fertigungsstrategie in Bezug auf die Technologie. Zudem leitet er die Siliciumcarbid-Technologie-Entwicklung.
Dan Kinzer hält mehr als 100 US-Patente sowie mehrere internationale Patente, außerdem hat er zahlreiche wissenschaftliche Artikel und Fachartikel veröffentlicht, war General Chairman des ISPSD und ist Mitglied des IEEE und EDS. Er verfügt über einen BSE-Abschluss der Princeton University 1978 in Aerospace and Mechanical Sciences mit Schwerpunkt Engineering Physics.
Das ISPSD ist ein internationales Meeting für Forscher, Ingenieure, Wissenschaftler und Spezialisten aus den verschiedensten Forschungs- und Entwicklungsbereichen der Leistungsbauteile. Es dient den Experten für Leistungsbauteile und Leistungs-ICs als Diskussionsplattform für die Ausweitung und Verbesserung der Forschung und Entwicklung im Bereich der Leistungselektronik und deren Anwendungen.
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Datum: 23.07.2013 - 14:59 Uhr
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