Neues von setron: AOS stellt neuen 40 V MOSFET AON6590 mit einem RDS(ON) von 0,99 m? im kleinen 5x6 DFN-Gehäuse vor
Äußerst niedriger Durchgangswiderstand und robustes Schaltverhalten ermöglichen kompaktere Leistungsdesigns
(PresseBox) - AOS, der Spezialist für Leistungshalbleiter und -ICs, erweitert sein neues 40 V Produktportfolio um den Flagship-Baustein AON6590. Der neue MOSFET wurde für eine Vielzahl von Anwendungen entwickelt und optimiert. Dazu gehören primär- und sekundärseitiges Schalten in Telekommunikations- und industriellen DC/DC-Wandlern, sekundärseitige synchrone Gleichrichtung in DC/DC- und AC/DC-Wandlern sowie POL-Module für Telekommunikationssysteme.
Der AON6590 ist der führende Baustein einer neuen, zum Schalten von Umrichtern optimierten 40 V Produktfamilie. Im Vergleich zu vorangegangenen Generationen ist der Durchgangswiederstand um 30 % verbessert worden. Dies bewirkt eine Minimierung der Leitungsverluste und ermöglicht niedrigere Gehäusetemperaturen während eines Betriebes mit hohen Lasten. Zudem bietet der AON6590 eine niedrige Ausgangskapazität und reduziert damit Abschaltverluste, was zu höheren Wirkungsgraden in hart geschalteten Anwendungen führt. Zusätzlich zu den Performance-Vorteilen weist dieses Bauteil eine höhere UIS-Robustheit auf und hält somit besser extremen Bedingungen wie Kurzschlüssen am Ausgang oder Einschaltphasen stand. Der AON6590 ist im kompakten 5x6 DFN-Leistungsgehäuse erhältlich.
"AON6590 steht für eine neue Produktgeneration zur Realisierung robuster Systemlösungen mit höherer Leistungsdichte. Der neue Baustein ermöglicht die Entwicklung von Spannungsversorgungen mit weniger Abwärme und einer höheren Zuverlässigkeit des Systems", sagt Stephen Chang, Sr. Product Marketing Director bei AOS.
Produkteigenschaften:
- 40 V N-Kanal MOSFET im 5x6 DFN-Gehäuse
- RDS(ON)<0,99 m? max. bei VGS=10 V
- RDS(ON)<1,5 m? max. bei VGS=4,5 V
- COSS=1438 pF typ.
- Qg(10V)=100 nC typ.
- 100% Rg und UIS getestet
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Datum: 23.02.2015 - 09:16 Uhr
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